特許

J-GLOBAL ID：200903019899275380

高周波スイッチ

発明者： 田中 浩二 ,  利根川 謙 ,  加藤 充英 ,  上田 達也 ,  降谷 孝治 ,  中島 規巨
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162801
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 小型化・低消費電流化・低コスト化が可能で、確実に所望の特性を得ることができ、単一のコントロール電源のみで動作し、インピーダンス整合回路が不必要な、ダイバーシティ対応の高周波スイッチを提供することである。【構成】 高周波スイッチZ2は、誘電体層1〜22上にダイオードD1〜D4が搭載され、コンデンサ電極31〜45,49〜64,66〜72,81〜83,85〜87、ストリップライン電極46〜48,74〜79、グランド電極65,73,80,84,88、アンテナ用外部電極89,94、送信回路用外部電極91、受信回路用外部電極95,99、コントロール用外部電極90,92,93,96,98,99、グランド用外部電極97が形成され、さらに各誘電体層1〜22が積層されてなる。

請求項（抜粋）：

5つのポートを有し、該5つのポートのうち、第1のポートと第2のポートの接続の切り換えと、前記第1のポートと第3のポートの接続の切り換え、及び前記第3のポートと第4のポートの接続の切り換えと、前記第4のポートと第5のポートの接続の切り換えを行うための高周波スイッチにおいて、複数の誘電体層を積層してなる多層基板の外面に前記5つのポートを形成するとともに高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極と前記5つのポートと前記高周波デバイスとに接続した信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した分布定数線路を形成し、該分布定数線路を介して前記高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなることを特徴とする、高周波スイッチ。

IPC (3件)：

H01P 1/15 ,  H04B 1/18 ,  H04B 1/44

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高周波スイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-022683   出願人：松下電器産業株式会社
• 高周波スイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358137   出願人：株式会社村田製作所
• 高周波スイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358138   出願人：株式会社村田製作所