特許

J-GLOBAL ID：200903019904762367

半導体装置及び液晶表示装置

発明者： 米田 清 ,  木原 勝也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243054
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087720
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 p-SiTFTLCDのp-Siを形成するレーザーアニールにおいて、照射領域の強度の不均一に起因したトランジスタ特性の悪化を防止する。【解決手段】 チャンネル幅の大きなサンプリングTFT6が、そのチャンネル幅方向を、基板の辺に対して45°の方向になるように形成されている。レーザーアニール時にp-Si13に結晶化不良領域Rが生じても、個々のTFT6についてはその領域の一部を通過するのみとなり、素子特性の悪化が小さな範囲に抑えられ、表示品位を低下することが防がれる。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体素子が複数形成された半導体装置において、前記半導体素子のいくつかまたは全ては、レーザーアニールが施された半導体層中に形成されたチャンネル領域のチャンネル幅がチャンネル長よりも大きく、そのチャンネル幅方向が前記基板の辺方向と異なる方向にされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 618 C ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-211935   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160258   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-053076   出願人：シャープ株式会社