特許

J-GLOBAL ID：200903048892239485

レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法

発明者： 古田 守 ,  川村 哲也 ,  前川 茂樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211935
公開番号（公開出願番号）：特開平9-061843
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 レーザアニール方法における被アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制する。【解決手段】 図1(a)のようにエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用いて、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さよりパルスレーザビームの走査ピッチPを小さくすることにより、被アニール膜全体に照射される実効エネルギがエネルギ立ち下がり領域で規定されるエネルギ密度で均一化でき、被アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制できる。

請求項（抜粋）：

被アニール膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより前記パルスレーザビームの走査ピッチを小さくすることを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037705   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• シリコン薄膜の結晶化方法および表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-250681   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-282869
  
• 特開平4-307727