特許
J-GLOBAL ID:200903019925294444

光取出率を改善するための発光デバイスにおける光学エレメントの形成

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-098327
公開番号(公開出願番号):特開2003-017740
出願日: 2002年04月01日
公開日(公表日): 2003年01月17日
要約:
【要約】【課題】 光の取出率を改善するために半導体発光素子の面に形成されたフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザの一方又は両方を含む発光デバイス、このような発光デバイスを形成するための方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子の面に形成された光学エレメントは、反射損失及び全反射による損失を低減して、光の取出効率を改善する。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザの形成は、表面に削り加工等を行ってもできる。光学エレメントを形成する別の方法であるスタンピング工程を用いても、半導体発光素子の面にフレネルレンズやホログラフィックディフューザを形成できる。スタンピングは、所望の光学エレメントを逆にした形状及びパターンスタンピングブロックを発光ダイオードの面に対してプレスする工程を含む。
請求項(抜粋):
半導体発光素子によって放射される光に作用を及ぼすよう、前記半導体発光素子の少なくとも一つの面にフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザのうちの少なくとも一つを形成する工程を含む、発光デバイスを形成する方法。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  G02B 5/18
FI (2件):
H01L 33/00 A ,  G02B 5/18
Fターム (30件):
2H049AA03 ,  2H049AA04 ,  2H049AA26 ,  2H049AA33 ,  2H049AA37 ,  2H049AA40 ,  2H049AA60 ,  2H049AA63 ,  5F041AA03 ,  5F041AA06 ,  5F041AA07 ,  5F041CA12 ,  5F041CA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04 ,  5F041CB14 ,  5F041CB15 ,  5F041CB22 ,  5F041CB36 ,  5F041DA09 ,  5F041DC83 ,  5F041FF06 ,  5F041FF11 ,  5F041FF16
引用特許:
審査官引用 (8件)
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