特許
J-GLOBAL ID：200903019931662684

半導体チップおよびその製造方法

発明者：
鈴木 宏紀

鈴木 宏紀 について

, 
金子 昌弘

金子 昌弘 について

, 
林 正幸

林 正幸 について


出願人/特許権者：
イビデン株式会社

イビデン株式会社 について


代理人 (1件)： 田下 明人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-328016
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289633
出願日： 2001年10月25日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 クラックを防止でき、接続信頼性を確保できる半導体チップおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 線熱膨張係数が10〜70ppm/°Cである樹脂絶縁層250を用いる。線熱膨張係数が小さいため、熱サイクルを繰り返し受けた際にも、外部基板210との熱膨張率差による大きな応力が発生しない。また、心材を有し強度の高い樹脂絶縁層250を配設するため、ICチップ20と外部基板210との線熱膨張率差により、銅めっきポスト250の側壁からの応力が水平方向に働いても、樹脂絶縁層250にクラックを生じることがなく、また、内部で断線が生じることがない。
請求項（抜粋）：
ダイパッドを有する半導体素子上に、層間絶縁層を介して導体層が形成され、該導体層が、絶縁層に形成された柱状の導電ポストにより外部基板へ接続される半導体チップであって、前記絶縁層は、心材を有する基板に樹脂を含浸させた後、硬化させた絶縁性基板からなり、前記絶縁性基板は、線熱膨張係数が前記外部基板と同程度又は小さいことを特徴とする半導体チップ。
IPC (5件)：
H01L 21/56 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/12 501
FI (5件)：
H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 G
Fターム (33件)：
5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR21 ,  5F033RR27 ,  5F033TT03 ,  5F033WW00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX13 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F061AA01 ,  5F061CA08 ,  5F061CB03
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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