イオン注入装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294417
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153486
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】イオン注入装置において実行注入量とは別に求めた注入量との誤差を求め、異常を早期に発見し、大量の不良品の発生を防止する。【構成】実行された注入時のデータをもとに、イオン注入部で求めた注入量(ステップ11)とは別に注入量(ステップ10)を求め、ステップ13でお互いを比較し、その相違を求める。この値が、指定された許容範囲Zより、大きければ、半導体ウェハの処理停止(ステップ14)、範囲内であれば続行(ステップ15)とし、異常の早期発見を行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに対するイオンのドーズ量を制御するドーズ量制御手段と、前記制御手段における注入データを収集するデータロガーとを備えたイオン注入装置において、前記制御手段で算出するドーズ量と、前記制御手段以外の第2の手段で算出するドーズ量とを比較してあらかじめ設定してある許容範囲内にあるか否かを判定する比較判定手段を設けることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 , H01L 21/265

引用特許：

審査官引用 (1件)

イオン注入制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-251396 出願人：日新電機株式会社

前のページに戻る