特許

J-GLOBAL ID：200903019932386834

パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法

発明者： 高野 清隆 ,  飯田 誠 ,  飯野 栄一 ,  木村 雅規 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-094853
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260447
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 COPの少ないパーティクルモニター用シリコンウエーハの生産性を向上させる。【解決手段】 チョクラルスキー法により引き上げられた、結晶抵抗率がP型、0.02Ωcm以下([B]=3.32×1018atoms/cm3 以上)のシリコン単結晶からなる、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ、および、チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶を切断し、鏡面研磨することによって、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、シリコン単結晶として、結晶抵抗率がP型、0.02Ωcm以下([B]=3.32×1018atoms/cm3 以上)のものを使用することを特徴とする、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により引き上げられた、結晶抵抗率がP型、0.02Ωcm以下のシリコン単結晶からなる、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ。

IPC (7件)：

H01L 21/66 ,  C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208

FI (7件)：

H01L 21/66 J ,  C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502 H ,  G01N 1/32 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/208 P ,  G01N 1/28 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン単結晶ウェーハの処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-197654   出願人：信越半導体株式会社