特許
J-GLOBAL ID：200903019957703818

絶縁膜形成用材料及びそれを用いた絶縁膜

発明者：
阿出川 豊

阿出川 豊 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-183875
公開番号（公開出願番号）：特開2006-012905
出願日： 2004年06月22日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】半導体素子等の層間絶縁膜として、均一な厚さの塗膜が形成可能で、耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、誘電率特性に優れた絶縁膜形成用材料を提供する。【解決手段】式(I)で表わされる繰り返し単位を有する重合体(A)を含有することを特徴とする絶縁膜形成用材料。【化30】 R1〜R7は水酸基、炭化水素基、ディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基、炭化水素基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基、又はディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基を表し、X、Y、Zの1つは水酸基を表し、残る2つは異なり、-O-、酸素原子側で連結される式(IB)から選択され、nは1〜10を表す。【化31】 R11〜R14はR1〜R7と同義、R15〜R17は単結合、炭化水素基、又はディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基、R18は単結合又は-O-、mは0〜10を表す。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で表わされる繰り返し単位を有する重合体(A)、および、 下記(B-1)と(B-2)とのうちの少なくとも1種の成分を含有することを特徴とする絶縁膜形成用材料。 (B-1)沸点又は分解点が250°C〜450°Cである化合物 (B-2)中空微粒子
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  H05K 1/03
FI (2件)：
H01L21/312 C ,  H05K1/03 610H
Fターム (19件)：
5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM