特許
J-GLOBAL ID：200903019958903918
再生ヘッドおよび磁気バイアスの印加方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089170
公開番号（公開出願番号）：特開2003-006821
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 横方向の磁気バイアスの印加機構を有し、優れた線形応答を得ることが可能なCPP-MR型の再生ヘッドを提供する。【解決手段】 縦方向の磁気バイアスを発生させるための導電スペーサ層70と、2つの強磁性層40,60の間に反強磁性スペーサ層50が挟まれた積層構成をなし、横方向の磁気バイアスを発生させるためのAPバイアス層5とを含むGMR積層体200を構成する。センス電流を付与することにより、導電スペーサ層70において発生した縦方向の磁気バイアスがフリー層90に印加されると共に、APバイアス層5において発生した横方向の磁気バイアスもフリー層90に印加される。縦方向および横方向の双方の磁気バイアスの印加下、スピンバルブ構造体55において巨大磁気抵抗効果(GMR)が生じるため、優れた線形応答が得られる。
請求項（抜粋）：
膜面直交電流による磁気抵抗効果を用いた積層構成の再生ヘッドであって、スピンバルブ構造体と、このスピンバルブ構造体に横方向の磁気バイアスを印加する横バイアス印加手段とを備えたことを特徴とする再生ヘッド。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01L 43/08 B
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD54
, 5D034BA02
, 5D034BA04
, 5D034BA06
