超電導素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333578
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141564
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】接合の臨界電流値及び配線部分のインダクタンス値の双方の最適化が容易な超電導素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の超電導素子1は、基板2と、第1の酸化物超電導層3と、第1の酸化物超電導層3と接合を形成する第2の酸化物超電導層5とを具備し、第1及び第2の酸化物超電導層3,5は実質的にLn、AE、M、及びOからなり(Ln:Yまたはランタノイド金属、AE:Ca、BaまたはSr、M:80%以上のモル比でCuを含む金属)、それらの接合部6で第1の酸化物超電導層3の結晶構造と第2の酸化物超電導層5の結晶構造とはMとOとによって構成される原子面が不連続であり、第1及び第2の酸化物超電導層3,5の少なくとも一方は実質的に一般式(Yb1-xLnx)AE2M3Oyに示す組成(0≦x≦0.9、6.0≦y≦7.5)を有する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の一方の主面上に設けられた第1の酸化物超電導層と、前記第1の酸化物超電導層と接合を形成する第2の酸化物超電導層とを具備し、前記第1及び第2の酸化物超電導層は実質的にLn、AE、M、及びOからなり(ここで、LnはY及びランタノイド金属からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を示し、AEはCa、Ba及びSrからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を示し、Mは80%以上のモル比でCuを含む金属を示す)、前記第1の酸化物超電導層と前記第2の酸化物超電導層との接合部で前記第1の酸化物超電導層の結晶構造と前記第2の酸化物超電導層の結晶構造とはMとOとによって構成される原子面が不連続であり、前記第1及び第2の酸化物超電導層の少なくとも一方は実質的に一般式(Yb1-xLnx)AE2M3Oyに示す組成(ここで、xは不等式0≦x≦0.9に示す関係を満足し、yは不等式6.0≦y≦7.5に示す関係を満足する)を有することを特徴とする超電導素子。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA , H01L 39/24 ZAA

FI (2件)：

H01L 39/22 ZAA A , H01L 39/24 ZAA J

Fターム (13件)：

4M113AA06 , 4M113AA16 , 4M113AA25 , 4M113AA37 , 4M113AD36 , 4M113AD67 , 4M113AD68 , 4M113BA04 , 4M113BA15 , 4M113BA29 , 4M113BB08 , 4M113BC04 , 4M113CA34

引用特許：

出願人引用 (2件)

超電導構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-247087 出願人：株式会社東芝
特開平1-145878

審査官引用 (2件)

超電導構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-247087 出願人：株式会社東芝
特開平1-145878

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