特許

J-GLOBAL ID：200903019987447972

エレクトロルミネッセンス素子及びその製造法

発明者： 南 内嗣 ,  高田 新三
出願人/特許権者： 南 内嗣 ,  高田 新三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-376851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195674
出願日： 1998年12月26日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明では、従来利用されている硫化物系蛍光体粉末や酸化物系蛍光体粉末が持っている高品質高結晶性及びゾル・ゲル法等を用いて形成した低温で透光性と高誘電率を有する誘電体絶縁層を利用し、簡単な処理プロセスで高効率な発光を有するEL素子を実現する。【構成】本発明では、図1に示すように、基体3としてチタン酸バリウム等の強誘電体セラミックシート上、あるいはガラスまたはセラミック上に金属薄膜あるいは透明導電性薄膜を形成した電極層上に、少なくとも1種の蛍光体粉末1が図に示すごとく分散した透光性高誘電率誘電体層2からなる堆積発光層を形成し、透明電極層4と対向電極層5で挟んだ構造を有する該EL素子を提供する。また該堆積層が分散もしくは一部分散一部堆積あるいは全部堆積した蛍光体粉末1を含みかつ透光性を有する高誘電率誘電体層2から成っていることが重要である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の蛍光体粉末が分散もしくは一部分散一部基体上に堆積もしくは全部基体上に堆積した透光性高誘電率無機誘電体層からなる堆積発光層を基体上に形成し、透明電極層と対向電極層で挟んだ構造を特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。

IPC (5件)：

H05B 33/20 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12

FI (5件)：

H05B 33/20 ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B

Fターム (29件)：

3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007CA04 ,  3K007CB01 ,  3K007DA04 ,  3K007DA05 ,  3K007DB00 ,  3K007DB02 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007EC00 ,  3K007EC01 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  5C094AA08 ,  5C094AA10 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA60 ,  5C094BA28 ,  5C094CA24 ,  5C094EB02 ,  5C094FB02 ,  5C094GB10