特許
J-GLOBAL ID：200903019995056974
固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237083
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053217
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】製造工程が複雑にならず、かつ、製造マージンを大きく取ることが可能な電子シャッタ機能を有した固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板SBの主面上には転送ゲート電極3および13が間隔を開けて配設され、転送ゲート電極3のゲート長方向の側面外方のP型ウエル領域1の表面内には、表面不純物領域7が配設され、表面不純物領域7よりも深くPD領域6が配設されている。PD領域6が配設された側とは反対側の転送ゲート電極3の側面外方のP型ウエル領域1の表面内には、FD領域8が配設され、FD領域8が配設された側とは反対側の転送ゲート電極13の側面外方のP型ウエル領域1の表面内には、低濃度ソース・ドレイン領域9が配設され、低濃度SD領域9よりも深くFD領域10が配設されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体領域の表面内に配設され、光電変換により入射光に応じた電荷を生成して蓄積する第2導電型のフォトダイオード領域と、
前記フォトダイオード領域に蓄積された信号電荷を転送する第1の電荷転送部と、
前記半導体領域の表面内に配設され、前記第1の電荷転送部によって転送される信号電荷を保持する第2導電型の第1のフローティングディフュージョン領域と、
前記第1のフローティングディフュージョン領域に保持されている信号電荷を転送する第2の電荷転送部と、
前記半導体領域の表面内に配設され、前記第2の電荷転送部によって転送される信号電荷を保持する第2導電型の第2のフローティングディフュージョン領域と、を有した第1の画素を複数備え、
前記フォトダイオード領域、前記第1および第2のフローティングディフュージョン領域の不純物濃度は、前記フォトダイオード領域の濃度が最も低く、前記第1のフローティングディフュージョン領域、前記第2のフローティングディフュージョン領域の順で濃度が高くなるように設定される、固体撮像素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118EA01
, 4M118EA06
, 4M118EA07
, 4M118EA14
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA28
, 4M118FA33
