特許
J-GLOBAL ID：200903020001608459

高分子電解質膜の製造方法

発明者：
齋藤 伸

齋藤 伸 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141364
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249245
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】高いプロトン伝導性を示す高分子電解質膜の簡便な製造方法を提供する。【解決手段】[1]高分子電解質を含む溶媒溶液を、基材に流延塗付し、溶媒を除去することによる高分子電解質膜の製造方法において、溶媒の除去を加湿雰囲気下で実施することを特徴とする高分子電解質膜の製造方法。[2] 高分子電解質を含む溶媒溶液を、基材に流延塗付し、溶媒を除去して高分子電解質膜を製膜するに当り、溶媒の除去を加湿雰囲気下で実施することを特徴とする高分子電解質膜のプロトン伝導性向上方法。[3]加湿雰囲気が、相対湿度90%以上の雰囲気であることを特徴とする上記[1]または[2]の方法。[4]溶媒の除去を、室温以上溶媒の沸点未満の温度で実施することを特徴とする上記[1]〜[3]いずれかの方法。
請求項（抜粋）：
高分子電解質を含む溶媒溶液を、基材に流延塗付し、溶媒を除去することによる高分子電解質膜の製造方法において、溶媒の除去を加湿雰囲気下で実施することを特徴とする高分子電解質膜の製造方法。
IPC (9件)：
H01M 8/02 ,  B29C 41/12 ,  B29C 41/50 ,  C08J 5/22 CER ,  C08J 5/22 CEZ ,  H01B 13/00 ,  H01M 8/10 ,  B29L 7:00 ,  C08L101:00
FI (9件)：
H01M 8/02 P ,  B29C 41/12 ,  B29C 41/50 ,  C08J 5/22 CER ,  C08J 5/22 CEZ ,  H01B 13/00 Z ,  H01M 8/10 ,  B29L 7:00 ,  C08L101:00
Fターム (26件)：
4F071AA51C ,  4F071AA51X ,  4F071AA75 ,  4F071AC12 ,  4F071BB02 ,  4F071FA05 ,  4F071FB01 ,  4F071FC01 ,  4F205AC05 ,  4F205AG01 ,  4F205AH33 ,  4F205AM26 ,  4F205AR20 ,  4F205GA07 ,  4F205GB01 ,  4F205GC06 ,  4F205GF03 ,  4F205GF24 ,  4F205GN22 ,  4F205GN30 ,  5H026AA06 ,  5H026BB04 ,  5H026CX04 ,  5H026EE18 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM