特許
J-GLOBAL ID：200903020007390668
弾性表面波デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141179
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340772
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 中心周波数が離れた複数のSAWフィルタを単一のチップ上に特性劣化なしで実現する。【解決手段】 チップ32上に形成するパターン電極のうち、中心周波数が高いSAWフィルタ28の電極構造は縦結合二重モードフィルタとし、低いSAWフィルタ30の電極構造は多電極型にする。電極構造による最適膜厚の差によって、中心周波数の差による最適膜厚の差が補われる。
請求項（抜粋）：
圧電性を有する基板と、この基板の所定の面上の所定の部位に形成され第1の弾性表面波フィルタの電極として用いられる第1のパターン電極と、上記所定の面上の上記第1のパターン電極とは異なる部位に形成され第2の弾性表面波フィルタの電極として用いられる第2のパターン電極と、を備え、所定の中心周波数を有する上記第1の弾性表面波フィルタ及びこの第1の弾性表面波フィルタに比べその中心周波数が低い第2の弾性表面波フィルタを、上記基板の同一の面上に形成した構造を有する弾性表面波デバイスにおいて、上記第1のパターン電極の構造が、同一中心周波数で比較したときの最適膜厚が相異なる複数種類の電極パターン構造のうち比較的最適膜厚が大きくなる電極パターン構造であり、上記第2のパターン電極の構造が、同一中心周波数で比較したときの最適膜厚が相異なる上記複数種類の電極パターン構造のうち比較的最適膜厚が小さくなる電極パターン構造であり、上記第1のパターン電極の膜厚と上記第2のパターン電極の膜厚との間に中心周波数の差に起因して生じる差が、少なくとも部分的に、電極パターン構造の差に起因する膜厚の差により補われていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
IPC (4件)：
H03H 9/145
, H03H 3/08
, H03H 9/25
, H03H 9/64
H03H 9/145 C
, H03H 3/08
, H03H 9/25 Z
, H03H 9/64 Z
