特許
J-GLOBAL ID:200903020025738140

再生レチクルの調製方法及び再生レチクル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝田 清暉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-051487
公開番号(公開出願番号):特開平11-231508
出願日: 1998年02月17日
公開日(公表日): 1999年08月27日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 一度ペリクルを貼着して使用したレチクルからペリクルを剥がし、レチクルを再使用できるようにする、再生レチクルの調製方法を提供する。【解決手段】 ペリクルを貼付して使用した使用済レチクルからペリクルを剥離した後洗浄することにより、前記使用済レチクルを再生させる方法において、前記洗浄の前工程として、ペリクルが貼付されていた前記レチクルの面に紫外線を照射することを特徴とする、再生レチクルの調製方法及びそれによって得られた再生レチクル。
請求項(抜粋):
ペリクルを貼付して使用した使用済レチクルからペリクルを剥離した後洗浄することにより、前記使用済レチクルを再生させる方法において、前記洗浄の前工程として、ペリクルが貼付されていた前記レチクルの面に紫外線を照射することを特徴とする、再生レチクルの調製方法。
IPC (3件):
G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 1/08 X ,  G03F 1/14 J ,  H01L 21/30 503 E
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • フオトマスク及び半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-271148   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 特開平3-068139
  • 特開昭63-271938
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