特許
J-GLOBAL ID:200903020027732980
積層チップバリスタ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山谷 晧榮 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-020426
公開番号(公開出願番号):特開平10-223409
出願日: 1997年02月03日
公開日(公表日): 1998年08月21日
要約:
【要約】【課題】端子電極にNi膜やSn膜を電気メッキするとき、積層チップバリスタ素体にメッキ流れが生じないようにすること。【解決手段】バリスタ層1と内部電極2、2′が交互に積層され、その最外層がバリスタ層1と同材質で構成され、その端部に内部電極2、2′と導通する端子電極3、3′を有する積層チップバリスタにおいて、その素体の表面粗さを、0.60〜0.90μmに形成した。
請求項(抜粋):
バリスタ層と内部電極が交互に積層され、その最外層がバリスタ層と同材質で構成され、その端部に内部電極と導通する端子電極を有する積層チップバリスタにおいて、その素体の表面粗さを0.60〜0.90μmに形成したことを特徴とする積層チップバリスタ。
IPC (2件):
FI (2件):
引用特許:
審査官引用 (3件)
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バリスタとその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-265237
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭62-256405
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電子部品の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-102106
出願人:松下電器産業株式会社
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