特許
J-GLOBAL ID：200903020105612091
半導体メモリ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333068
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180474
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】センスアンプの対ノイズ性を向上する。【解決手段】メモリセル列の他端に接続しいずれかのメモリセルの導通状態への遷移に応答して発生するセンスアンプ1のセンス電流を増強する電流増強回路21を備える。
請求項（抜粋）：
各々のゲートに対応するワード線を接続した複数のメモリセルトランジスタを列方向に縦続接続したメモリセル列を有するメモリセル部を備え、前記メモリセル列の一端をデジット線および列選択スイッチを経由してセンスアンプに接続し前記メモリセル列のいずれかのメモリセルの導通状態への遷移に応答して発生するセンス電流を前記センスアンプで検出する半導体メモリ回路において、前記メモリセル列の他端に接続し前記センス電流を増強するセンス電流増強回路を備えることを特徴とする半導体メモリ回路。
引用特許：
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