特許
J-GLOBAL ID：200903020114721634
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141456
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333830
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の良好な炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。【構成】 炭化珪素単結晶よりなり、炭化珪素を成長させるための種結晶3と、炭化珪素の原料4とを、種結晶3の温度が炭化珪素の原料4の温度よりも低くなるように加熱することにより、種結晶3の表面に炭化珪素単結晶を生成する方法において、種結晶3の近傍に金属珪素5を配置する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶よりなり、炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶と、炭化珪素の原料とを、種結晶の温度が炭化珪素の原料の温度よりも低くなるようにして加熱することにより、炭化珪素の原料を昇華させて種結晶の表面に炭化珪素単結晶を生成させる炭化珪素単結晶の製造方法において、上記種結晶の近傍に金属珪素を配置することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C01B 31/36
, H01L 21/20
