特許

J-GLOBAL ID：200903020123680444

プラズマエッチング装置

発明者： 水谷 和弘
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-160602
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340693
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 エッチング前のウェーハの浮きを防止して製品の信頼性及び歩留りを向上させるとともに、装置稼動率の向上及び生産コストの低減を行うことができるプラズマエッチング装置を提供する。 【解決手段】 本発明のプラズマエッチング装置1は、絶縁リング11の上面に新たに前後左右4つの第1ガイドピン23と、それらの上部に第1ガイドピン23よりも径の小さい第2ガイドピン24が設けられている。さらに、カソードカバー10の下面には、前後左右4つの嵌合孔10aが設けられ、絶縁リング11の第2ガイドピン24と嵌合するように構成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

反応室に少なくとも上部電極、下部電極、ガス孔、カソードカバー及び絶縁リングがあり、前記ガス孔からエッチングガスが前記反応室に導入され、前記上部電極と前記下部電極の間に高周波電力が印加されることにより前記エッチングガスがプラズマ化し、エッチング時には前記カソードカバーが上昇して前記絶縁リングから離脱され、エッチング終了時には前記カソードカバーが下降して前記絶縁リングに固定されるプラズマエッチング装置において、前記絶縁リングの上面に少なくとも3つ以上のガイドピンが設けられ、前記カソードカバーの下面に前記ガイドピンが嵌合する少なくとも3つ以上の嵌合孔が設けられていることを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/68

FI (2件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/68 N

Fターム (14件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB23 ,  5F004BC02 ,  5F004BC06 ,  5F004CA02 ,  5F004CA05 ,  5F004CB20 ,  5F031CA02 ,  5F031HA01 ,  5F031HA50 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-243304   出願人：九州日本電気株式会社