特許

J-GLOBAL ID：200903020129606637

結晶性窒化ケイ素膜のエピタキシャル成長方法およびエピタキシャル結晶性窒化ケイ素膜

発明者： 楠 勲 ,  高見 知秀 ,  阿部 積
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145467
公開番号（公開出願番号）：特開2001-328898
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：

【要約】【課題】 Si単結晶表面に結晶性窒化ケイ素膜をエピタキシャル成長する。【解決手段】 真空中で、500eVに加速したN<SB>2 </SB><SP>+ </SP>イオンをシリコン単結晶(100)表面に照射して形成する。結晶島1、1’はα-Si<SB>3 </SB>N<SB>4 </SB>(六方晶系、a=0.776nm、c=0.562nm)結晶であり、結晶島1のc軸はSi〔011〕方位に沿っており、a軸はSi〔100〕方位に沿っている。結晶島1’は結晶島1をc軸の回りに90°回転した関係にあり、c軸はSi〔011〕方位に沿っており、a軸はSi〔01-1〕方位に沿っている。エピタキシャル配向は、結晶島1および1’について、それぞれ(100)<001>α-Si<SB>3 </SB>N<SB>4 </SB>‖(100)<011>Si、および(120)<001>α-Si<SB>3 </SB>N<SB>4 </SB>‖(100)<011>Si、である。

請求項（抜粋）：

真空中で、加速した窒素イオンをシリコン単結晶表面に照射して形成することを特徴とする結晶性窒化ケイ素膜のエピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C23C 14/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

C30B 29/38 B ,  C23C 14/48 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/318 B

Fターム (14件)：

4G077AA03 ,  4G077BE14 ,  4G077FD03 ,  4G077HA06 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF64 ,  5F058BF76

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 超硬質被膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-277217   出願人：三洋電機株式会社