特許
J-GLOBAL ID：200903020130843014

レーザ照射装置及び前記レーザ照射装置を用いた半導体装置の作製方法

発明者：
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345276
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146823
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】 レーザ集光の手段に用いるfθレンズの透過率はレンズの中央と端では異なるため、そのままレーザ結晶化に用いると半導体膜上に照射されるレーザ光のエネルギー分布に差が生じ、半導体膜全面を均一に照射することができなかった。【解決手段】 そこで本発明は、ガルバノミラー、fθレンズ光学系を用いたレーザ照射装置において、fθレンズの透過率変化に起因するエネルギー変化を相殺し、被照射物に与えられるエネルギー変動を抑制しながらレーザ光走査を行うことができるレーザ照射装置を提供する。また、前記レーザ照射装置を用いた半導体装置の作製方法を提供する。
請求項（抜粋）：
レーザ発振器と、 被照射面におけるビームスポットが線状または楕円状になるように前記レーザ発振器から出力されたレーザ光を加工する光学系と、 前記加工されたレーザ光の走査速度を制御する手段と、 を有していることを特徴とするレーザ照射装置。
IPC (5件)：
H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01S3/00
FI (4件)：
H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  H01S3/00 A ,  H01L29/78 627G
Fターム (97件)：
5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA13 ,  5F052BA18 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052JA01 ,  5F072AA02 ,  5F072AB01 ,  5F072AB05 ,  5F072AB15 ,  5F072AB20 ,  5F072KK30 ,  5F072MM09 ,  5F072MM17 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR03 ,  5F072YY08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110PP27 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • レーザー照射装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021011   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (2件)
  • 特開昭62-259437
  • 半導体装置及びその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-063540   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社

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