特許

J-GLOBAL ID：200903020134577521

SiC単結晶の製造方法

発明者： 坂元 秀光
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-315361
公開番号（公開出願番号）：特開2005-082435
出願日： 2003年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 成長条件の変動に対して高い安定性で平坦な成長表面を持つ単結晶を成長させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、上記Si融液に、Al、Ga、In、As、Sb、Au、AgおよびPtから成る群から選択したいずれか1種の金属を1wt%〜30wt%添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、 上記Si融液に、Al、Ga、In、As、Sb、Au、AgおよびPtから成る群から選択したいずれか1種の金属を1wt%〜30wt%添加することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B29/36 ,  C30B19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EJ09 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-193798号公報(特許請求の範囲)
  
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社