特許
J-GLOBAL ID：200903043016804750
炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-164061
公開番号（公開出願番号）：特開2002-356397
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 結晶多形および結晶欠陥の少ない高品質なSiCのバルク単結晶を実効的な速度で安定して製造する方法を提供する。【解決手段】 Siを含む原料を融解した融液にSiC単結晶基板を接触させ基板上にSiC単結晶を成長させる方法において、大気圧下または加圧下で炭化水素を含むガスを前記融液に供給し、かつ融液の温度と比べて基板と融液との接触部を低温にする。
請求項（抜粋）：
Siを含む原料を融解した融液にSiC単結晶基板を接触させ基板上にSiC単結晶を成長させる方法において、大気圧下または加圧下で炭化水素を含むガスを前記融液に供給し、かつ融液の温度に比べて基板と融液との接触部を低温にすることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/208 D
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077CG01
, 4G077CG07
, 4G077HA06
, 4G077QA34
, 5F053AA03
, 5F053AA22
, 5F053BB04
, 5F053BB21
, 5F053BB57
, 5F053DD02
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F053HH04
, 5F053RR03
, 5F053RR05
