特許
J-GLOBAL ID:200903020152074286
フォトセンサおよびイメージセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-127278
公開番号(公開出願番号):特開2000-323744
出願日: 1999年05月07日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【課題】 波長の異なった二つの活性部を積層した構成を有し、二波長で動作するフォトセンサにおいて、単一の駆動電圧により駆動でき、それぞれの波長での光検出出力が混合することのない構成を提供する。【解決手段】 積層された二つの活性部の間に介在するコンタクト層を上側活性部と下側活性部で共通に使い、さらにフォトセンサの周囲に隣接するフォトセンサと分離する素子分離領域を形成する。
請求項(抜粋):
支持層と、前記支持層上に形成され、素子分離構造により画成された第1のコンタクト層と、前記第1のコンタクト層上に形成され、第1の波長の光を吸収する第1の光吸収層と、前記第1のコンタクト層上に電気的にコンタクトする第1のオーミック電極と、前記第1の光吸収層上に形成された第2のコンタクト層と、前記第2のコンタクト層に電気的にコンタクトする第2のオーミック電極と、前記第2のコンタクト層上に形成された第2の光吸収層と、前記第2の光吸収層上に形成された第3のコンタクト層と、前記第3のコンタクト層に電気的にコンタクトする第3のオーミック電極とを備えたことを特徴とするフォトセンサ。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 31/10 D
, H01L 27/14 K
Fターム (27件):
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB05
, 4M118CA15
, 4M118CA19
, 4M118CB01
, 4M118CB02
, 4M118CB14
, 4M118GA02
, 4M118GA10
, 4M118GC20
, 5F049MA01
, 5F049MB07
, 5F049MB11
, 5F049NA20
, 5F049NB03
, 5F049PA10
, 5F049PA14
, 5F049QA07
, 5F049QA16
, 5F049SE05
, 5F049SE12
, 5F049SS04
, 5F049SZ20
, 5F049TA20
, 5F049UA11
, 5F049WA01
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
赤外線検知装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-179773
出願人:富士通株式会社
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