特許

J-GLOBAL ID：200903020155488790

耐反りシリコンウエハ

発明者： 黄 新明 ,  干川 圭吾
出願人/特許権者： 株式会社シリコンテクノロジー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-355682
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160395
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハの熱処理工程において、熱衝撃や自重によるシリコンウエハの反りを効果的に抑制し、熱衝撃による反りが実質的にない、機械的強度に優れたシリコンウエハを提供。【解決手段】 シリコン単結晶中に、濃度5×1019〜1.5×1020atoms/cm3のゲルマニウム(Ge)と、濃度11×1017〜18×1017atoms/cm3(OLD ASTM)の酸素とを含有させるか、あるいは、濃度2×1018〜1.5×1020atoms/cm3のGeと、濃度11×1017〜18×1017atoms/cm3(OLD ASTM)の酸素と、濃度1×1018〜2×1020atoms/cm3のボロン(B)とを含有させたシリコンウエハである。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハ中に、高濃度の不純物であるゲルマニウムと、高濃度の不純物である酸素とが含有されてなることを特徴とする耐反りシリコンウエハ。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/322

FI (3件)：

C30B 29/06 A ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/322 Y

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077CE03 ,  4G077EB01 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB09

引用文献：

審査官引用 (3件)

• 高強度Siウェハの提案:Ge添加およびBとGe同時添加
• シリコンの科学, 19960628, 第1刷, p.123
• Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without Dash Necking Using a Heavily B and Ge Codoped