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J-GLOBAL ID：200902164005934588   整理番号：01A0078738

多量にBとGeを共ドープしたSiの種結晶を用いたDashのくびれのない無転位Czochralski Si結晶の成長

Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without Dash Necking Using a Heavily B and Ge Codoped Si Seed.

著者 (4件)： HUANG X (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  TAISHI T (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  YONENAGA I (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HOSHIKAWA K (Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 11B  ページ： L1115-L1117  発行年： 2000年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15×15mm²の断面を持つ多量にBと...

シソーラス用語： 種結晶 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (11件)：

• 1) W. C. Dash: J. Appl. Phys. 30 (1959) 459.
• 2) W. C. Dash: J. Appl. Phys. 31 (1960) 736.
• 3) H. Yamagishi, H. Minami, M. Imai, T. Misawa and K. Takada: <I>Proc. 2nd Int. Symp. Advanced Science & Technology of Si Materials, Kona, Hawaii, U.S.A., 1996</I>, p. 59.
• 4) K. Hoshikawa, X. Huang, T. Taishi, T. Kajigaya and T. Iino: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L1369.
• 5) X. Huang, T. Taishi, I. Yonenaga and K. Hoshikawa: J. Cryst. Growth 213 (2000) 283.

タイトルに関連する用語 (9件)： Ge ,  ドープ ,  Si ,  種結晶 ,  DASH ,  くびれ ,  転位 ,  Si結晶 ,  成長