層間絶縁膜形成用材料及び層間絶縁膜

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307943
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150033
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜のガラス転移点温度を低下させることなく比誘電率を低減する。【解決手段】層間絶縁膜形成用材料は、1、4-ビス(ヒドロキシジメチルシリル)ベンゼンとフェニルトリメトキシシランとの共重合体を含む溶液である。1、4-ビス(ヒドロキシジメチルシリル)ベンゼンとフェニルトリメトキシシランとの共重合体を、テトラヒドロフランと水との混合溶媒中において塩酸存在下で脱水縮合することにより無機有機ハイブリッドSOG溶液を合成する。無機有機ハイブリッドSOG溶液を半導体基板上に回転塗布して無機有機ハイブリッドSOG膜を得た後、該SOG膜に対してホットプレートによる熱処理を施して層間絶縁膜を得る。

請求項（抜粋）：