特許
J-GLOBAL ID：200903020198176806

半導体レーザ素子、半導体エッチング液および半導体レーザ素子の製造方法

発明者：
塩島 健至

塩島 健至 について

, 
藪崎 慶一

藪崎 慶一 について

, 
大久保 典雄

大久保 典雄 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-136670
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033552
出願日： 2001年05月07日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 電流非注入構造を確実に有する半導体レーザ素子、化合物半導体結晶のエッチングに使用する半導体エッチング液およびこれを用いた半導体レーザ素子の製造方法に関するものであり、半導体レーザ素子の光出力を増大させた際、端面腐食が発生しない優れた半導体レーザ素子を得ること。【解決手段】 半導体エッチング液は、p-AlGaAsの上クラッド層7に対するp-GaAsのキャップ層9の溶解速度比が10〜20である有機酸/過酸化水素系混合溶液を用いる。p-AlxGa1-xAsの上クラッド層7、p-AlyGa1-yAsの抵抗調整層8(x>y>0.2)、およびp-GaAsのキャップ層9をその順序に有する積層膜の内、p-AlyGa1-yAsの抵抗調整層8とp-GaAsのキャップ層9が選択的にエッチングされ、端面劣化が抑制されるという優れた効果がある。
請求項（抜粋）：
所定の化合物半導体基板上に形成された半導体多層膜の上部クラッド層と電極との間に設けられ、活性層に対する注入電流を狭窄化するキャップ層を有するとともに、前記キャップ層と前記上部クラッド層との間の接合抵抗を調整する抵抗調整層を有した半導体レーザ素子において、前記キャップ層および前記抵抗調整層のうち、レーザ光出射側端面から所定長分、エッチングによって削除し、該削除された該キャップ層および該抵抗調整層の領域に埋め込まれた絶縁層を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/16 ,  H01L 21/308
FI (2件)：
H01S 5/16 ,  H01L 21/308 C
Fターム (10件)：
5F043AA03 ,  5F043FF03 ,  5F073AA04 ,  5F073AA87 ,  5F073BA03 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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