特許
J-GLOBAL ID：200903020198192950
高周波スイッチ装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河宮 治
, 石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-086823
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277675
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】低い制御電圧でスイッチングし低コストで製造できる高周波スイッチ装置を提供する。【解決手段】誘電体支持膜14は両端が誘電体基板1に固定され誘電体基板1から空隙41を介して離間して移動可能に形成され、伝送線路10は誘電体支持膜14上に信号線導体11と接地導体12,13を有して形成される。誘電体支持膜2は両端が誘電体基板1に固定され誘電体支持膜14から空隙42を介して離間して移動可能に形成され、誘電体支持膜2上に信号線導体11に対向するように接続導体5が形成され、かつ接地導体12,13に対向するように制御導体3,4が形成される。制御導体3,4と接地導体12,13との間に制御電圧を印加したとき、制御導体3,4と接地導体12,13との間に発生する静電力により吸引され誘電体支持膜2,14が互いに近接するように変形して信号線導体11と接続導体5とを接続してオフ状態からオン状態に遷移させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一端が上記基板に固定されかつ上記基板から第1の空隙を介して離間して移動可能に形成された第1の誘電体支持膜と、
上記第1の誘電体支持膜上に形成され、少なくとも信号線導体と接地導体とを有する伝送線路と、
少なくとも一端が上記基板に固定されかつ上記第1の誘電体支持膜から第2の空隙を介して離間して移動可能に形成された第2の誘電体支持膜と、
上記第2の誘電体支持膜上に上記信号線導体に対向するように形成された接続導体と、
上記第2の誘電体支持膜上に上記接地導体に対向するように形成された制御導体とを備え、
上記制御導体と上記接地導体との間に所定の制御電圧を印加したとき、上記制御導体と上記接地導体との間に発生する静電力により上記制御導体と上記接地導体とが吸引され、上記第1の誘電体支持膜と上記第2の誘電体支持膜とが互いに近接するように変形して、上記信号線導体と上記接続導体とを高周波的に接続して、高周波スイッチ装置をオフ状態からオン状態に遷移させ、もしくは上記高周波スイッチ装置をオン状態からオフ状態に遷移させることを特徴とする高周波スイッチ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
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微細電気機械スイッチ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-082436
出願人：ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション
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