特許
J-GLOBAL ID：200903020204518366
荷電粒子ビ-ム照射方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-202047
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】荷電粒子ビームを照射する方向を変えたときでも、患部(標的)に対して正確に荷電粒子ビームを照射することができる荷電粒子ビーム照射方法及び装置を提供することにある。【解決手段】シンクロトロン1から出射された荷電粒子ビームを、回転照射装置2により照射対象の内部にある標的に対して複数の方向から照射する場合において、回転照射装置2により標的に対する荷電粒子ビームの照射の方向を変更するときに、シンクロトロン1において荷電粒子ビームのエネルギーを照射対象における標的の深さ位置に応じて変更する。
請求項（抜粋）：
照射対象の内部にある標的に対して複数の方向から荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム照射方法において、前記標的に対する荷電粒子ビームの照射の方向を変更するときに、荷電粒子ビームのエネルギーを変更することを特徴とする荷電粒子ビーム照射方法。
FI (2件)：
A61N 5/10 D
, A61N 5/10 M
4C082AA01
, 4C082AC02
, 4C082AC04
, 4C082AC05
, 4C082AC06
, 4C082AE03
, 4C082AG02
, 4C082AG12
, 4C082AG13
, 4C082AG42
, 4C082AG52
, 4C082AJ08
, 4C082AN02
, 4C082AP02
