特許
J-GLOBAL ID:200903020241790211

位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高梨 幸雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-107474
公開番号(公開出願番号):特開平6-302499
出願日: 1993年04月09日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子製造用の投影露光装置においてレチクルとウエハとの相対的な位置合わせを高精度に行うことができる位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 第1物体面上のパターンを位置検出装置により、該第1物体面と位置合わせを行った第2物体面上に投影光学系を介して投影する際、該第2物体はその面上に多層の透明膜を設けており、該位置検出装置は該第2物体面上の所定面の位置情報を検出しており、該位置情報に基づいて共焦点顕微鏡を利用して該第2物体を光軸方向に移動していること。
請求項(抜粋):
第1物体面上のパターンを位置検出装置により、該第1物体面と位置合わせを行った第2物体面上に投影光学系を介して投影する際、該第2物体はその面上に多層の透明膜等を設けており、該位置検出装置は該第2物体面上の所定面の位置情報を検出しており、該位置情報に基づいて共焦点顕微鏡を利用して該第2物体を光軸方向に移動していることを特徴とする位置検出装置。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/22 ,  G03F 9/00
FI (2件):
H01L 21/30 311 M ,  H01L 21/30 311 N
引用特許:
審査官引用 (3件)

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