特許
J-GLOBAL ID：200903020242558835
基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080268
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244014
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】反応性ガスの利用効率が高く、基板搭載面における処理の均一性が高い基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】CVD装置1において、中心軸Cが延びる方向から見て、反応性ガス整流板5とパージガス整流板7との境界を、サセプタ10の基板搭載面10aの内部に配置する。そして、反応性ガス整流板5と基板搭載面10aとの間の距離L1を、パージガス整流板7と基板搭載面10aとの間の距離L2よりも大きくする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に反応性ガスを接触させて前記基板を処理する基板処理装置であって、
チャンバーと、
前記チャンバー内に前記反応性ガスを導入する反応性ガス導入口と、
前記チャンバー内にパージガスを導入するパージガス導入口と、
前記チャンバーの一端部の中央部に設けられ、前記チャンバー内における前記反応性ガス導入口が連通された部分を前記チャンバー内の他の部分から区画する反応性ガス整流板と、
前記一端部の周辺部に設けられ、前記チャンバー内における前記パージガス導入口が連通された部分を前記チャンバー内の他の部分から区画するパージガス整流板と、
前記チャンバーの他端部の中央部に設けられ、基板搭載面が前記一端部に対向したサセプタと、
前記サセプタを回転させる回転手段と、
前記他端部の周辺部に設けられた排気口と、
を備え、
前記基板搭載面に対して垂直な方向から見て、前記反応性ガス整流板と前記パージガス整流板との境界は前記基板搭載面の内部に位置し、
前記反応性ガス整流板と前記基板搭載面との間の距離は、前記パージガス整流板と前記基板搭載面との間の距離よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030AA05
, 4K030AA11
, 4K030AA17
, 4K030BA08
, 4K030BA25
, 4K030CA04
, 4K030EA06
, 4K030GA02
, 4K030GA06
, 4K030JA03
, 4K030KA12
, 4K030KA26
, 5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045BB02
, 5F045BB03
, 5F045DP15
, 5F045EF13
