特許
J-GLOBAL ID：200903004832221709
薄膜気相成長方法及び薄膜気相成長装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198338
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016008
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に薄膜を気相成長させるにあたり、成膜用ガス、特に、原料ガスの利用効率を向上させることを目的とし、さらに、原料ガスの利用効率向上により、未反応原料ガスによる排気管のつまりを減少させることを目的とする。【解決手段】 前記反応炉として、頂部内壁面と整流板との間隙が、ウエハ基板3の中心点を対応中心とする同心円状に少なくとも2区画に区分され、かつ、各区画の夫々にガス供給口6、7が配設された構造のものを用い、前記成膜用ガスのうち、原料ガスとドーパントを含むガスを前記同心円区画の最内区画部からほぼ垂直に流下させ、最外区画部からは前記キャリアガスのみを流下させる。
請求項（抜粋）：
成長させるべき薄膜の成分を含む原料ガス、薄膜層の抵抗率を制御するためのドーパントを含むガス及びキャリアガスから成る成膜用ガスを、円筒状の反応炉の頂部に設けられた複数のガス供給口から整流板を介して流下させ、下方に配備された回転式サセプタ上に載置した半導体基板に接触させて該基板面上に薄膜を気相成長させる方法において、前記反応炉として、頂部内壁面と整流板との間隙が、前記載置ウエハ基板の中心点を対応中心とする同心円状に少なくとも2区画に区分され、且つ、各区画の夫々にガス供給口が配設された構造のものを用い、前記成膜用ガスのうち、原料ガスとドーパントを含むガスを前記同心円区画の最内区画部からほぼ垂直に流下させ、最外区画部からは前記キャリアガスのみを流下させることを特徴とする薄膜気相成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030CA04
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA01
, 4K030JA05
, 4K030KA05
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045AB02
, 5F045AB10
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045BB02
, 5F045BB10
, 5F045BB15
, 5F045DP03
, 5F045DP28
, 5F045DQ04
, 5F045EE17
, 5F045EE20
, 5F045EF15
