特許
J-GLOBAL ID：200903020254168986
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302905
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148523
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】大電力用半導体装置において、大電力用半導体素子の発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を検出でき、使用状態における素子搭載用絶縁基板と放熱基とを固着する半田のクラック発生などによる脆弱化を早期に検出する。【解決手段】半導体素子11と、放熱板13と、半導体素子と放熱板との間に介在し、半導体素子を搭載した電気伝導度の高い絶縁基板12と、絶縁基板と放熱板とを固着する半田層14と、半導体素子の使用状態における発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を検出する素子21と、検出結果を半導体装置外部に出力する熱抵抗検出結果出力用配線19とを具備する。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、放熱板と、前記半導体素子と放熱板との間に介在し、前記半導体素子を搭載した電気伝導度の高い絶縁基板と、前記絶縁基板と放熱板とを固着する半田層と、前記半導体素子の使用状態における発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を検出する熱抵抗検出手段と、上記検出結果を半導体装置外部に出力する熱抵抗検出結果出力手段とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/58
, H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/56 D
, H01L 23/36 D
, H01L 25/04 C
