特許

J-GLOBAL ID：200903020262507862

シリコンウェーハの研磨方法

発明者： 稲葉 章浩 ,  小村 朋美
出願人/特許権者： エム・イー・エム・シー株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157964
公開番号（公開出願番号）：特開平11-347921
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】 研磨工程における残存銅の量をシリコンデバイスに実質的に影響を与えない水準まで除去することによるシリコンデバイスの不良率の改善。【解決手段】 シリコンウェーハ研磨助剤であるスラリ一の供給管の内部を樹脂でコーティングしたものを使用すること、研磨の際に使用する研磨装置の各種部材を樹脂製とするか、または樹脂によりコーティングしたものを使用して研磨する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハの研磨に際して、研磨用スラリーの供給管の内表面を樹脂でコーティングしたものを使用するか、または樹脂製のものを使用し且つ、シリコンウェーハの研磨装置に使用されている各種部材として全て樹脂でコーティングしたものを使用するか、または樹脂製の部材を使用することにより実質的にシリコンウェーハ上に残存する銅の量を零とするシリコンウェーハの研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/00 K ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-306881
  
• 特開昭58-087829
  
• シリコンウェーハ洗浄液の浄化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-046092   出願人：コマツ電子金属株式会社