特許
J-GLOBAL ID：200903020276440728
ドーピング方法及び電界効果型トランジスタの作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-027923
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253659
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。【解決手段】マススペクトルから求められたトータルイオン中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンの割合X(0<X<1)とドーピングがおこなわれた第1の被処理体中の前記不純物のピーク濃度Yに関する第1の関係式から、前記イオンの割合Xの変化に対応して、前記ピーク濃度Yを得るために必要なトータルイオンのドーズ量D1を求める過程と、前記ドーピングの際に使用した原料ガスを用い、トータルイオンのドーズ量を前記過程で求めたD1の値、加速電圧を前記ドーピングの際の所定の値として、第2の被処理体に対し前記イオンをドーピングする過程を有するドーピング方法を採用する。
請求項（抜粋）：
マススペクトルから求められたトータルイオン中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンの割合X(0<X<1)とドーピングがおこなわれた第1の被処理体中の前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物のピーク濃度Yに関する第1の関係式から、前記イオンの割合Xの変化に対応して、前記ピーク濃度Yを得るために必要なトータルイオンのドーズ量D1を求める過程と、
第1の原料ガスを用い、トータルイオンのドーズ量を前記過程で求めたD1の値、加速電圧を所定の値として、イオンドーピング装置によって第2の被処理体に対し前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンをドーピングする過程を有し、
前記第1の関係式は、
前記イオンドーピング装置において、前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物が水素又は希ガスでなる希釈用のガスで5%以上40%以下の第1の濃度に希釈された第2の原料ガスを用いてプラズマを生成させ、前記マススペクトルから前記イオンの割合Xを求め、
前記化合物が前記第1の濃度と同じ濃度又はそれより低い第2の濃度に前記希釈用のガスで希釈された前記第1の原料ガスを用い、トータルイオンのドーズ量をD0、加速電圧を前記所定の値として、前記イオンドーピング装置によって前記第1の被処理体に対し前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンをドーピングし、前記第1の被処理体中の前記ピーク濃度Yを分析することによって、
a及びbを実数としたとき、Y=(D1/D0)(aX+b)として得られることを特徴とすることを特徴とするドーピング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 29/786
H01L21/265 F
, H01L21/265 T
, H01L29/78 618F
5F110AA08
, 5F110CC02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE14
, 5F110EE31
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG51
, 5F110HJ01
, 5F110HJ12
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
