特許

J-GLOBAL ID：200903020277372742

磁気抵抗効果素子

発明者： 羽根田 茂 ,  中 村 志 保 ,  大 沢 裕 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-287804
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128085
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】微小なビット信号を高感度で検出することを可能にする。【解決手段】第1磁性体層11と、第1磁性体層に積層したスペーサ層20と、スペーサ層に積層した第2磁性体層12aと、第1磁性体層、スペーサ層、および第2磁性体層からなる積層構造に隣接する絶縁層30と、絶縁層に隣接するゲート電極31とを備え、ゲート電極に印加する電圧により磁気感応領域を制御する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1磁性体層と、前記第1磁性体層に積層したスペーサ層と、前記スペーサ層に積層した第2磁性体層と、前記第1磁性体層、前記スペーサ層、および前記第2磁性体層からなる積層構造に隣接する絶縁層と、前記絶縁層に隣接するゲート電極とを備え、前記ゲート電極に印加する電圧により磁気感応領域を制御することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

FI (3件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 S ,  H01L43/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 集積された半導体デバイスを有するMRAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-361340   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド