特許

J-GLOBAL ID：200903020279103056

半導体装置及びその合わせマーク

発明者： 柴田 浩延 ,  桂 敏彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124647
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306821
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】金属膜が高温の成膜工程により形成される場合にも、フォトリソグラフィー工程において高い合わせ精度を実現することができる半導体装置を提供する。【解決手段】金属配線4を成形するためのフォトリソグラフィー工程において、金属配線4の位置とその下に形成されている層2の位置とを合わせるために金属配線4の下の層2に形成された段差部により構成される合わせマークを具備し、段差部近傍の凸部領域側に開口部3を具備する。

請求項（抜粋）：

金属配線を成形するためのフォトリソグラフィー工程において、前記金属配線の位置とその下に形成されている層の位置とを合わせるために前記金属配線の下の層に形成された段差部により構成される合わせマークを具備する半導体装置において、前記段差部近傍の凸部領域側に開口部を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/30 502 M ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 522 Z ,  H01L 21/30 523 ,  H01L 21/88 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-283973   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-147327   出願人：松下電器産業株式会社