特許

J-GLOBAL ID：200903020280335700

パルスRFプラズマを用いたTEOS酸化物の堆積

発明者： ハルヒロ エイチ. ゴトウ ,  タカコ タケハラ ,  カール エー. ソレンセン ,  ウィリアム アール. ハーシュバーガー ,  カム エス. ロウ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109076
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060945
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ増強化学気相成長とTEOSを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。【解決手段】 該方法には、TEOS酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。

請求項（抜粋）：

二酸化ケイ素膜の製造方法であって、前記方法は:TEOS前駆体と酸素をプラズマ状態におくステップと;該TEOSガスを活性種に分解するステップと;該プラズマ中で該TEOSと酸素イオン又は酸素ラジカルとを反応させるステップと;該活性種を基板上に堆積するステップと;を含み、該TEOS酸化物プラズマを生成するエネルギーが供給時間間隔で間欠的に供給される、方法。

IPC (2件)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C

Fターム (20件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA12 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045CA15 ,  5F045DP09 ,  5F045EB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ヘリコン波プラズマ装置およびこれを用いたプラズマCVD方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148315   出願人：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-082583   出願人：日本真空技術株式会社