特許

J-GLOBAL ID：200903018552379359

絶縁膜の形成方法

発明者： 伊東 一幸 ,  谷 典明 ,  米崎 武 ,  石川 道夫 ,  中村 久三 ,  戸川 淳 ,  橋本 征典
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082583
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279505
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 投入電力を減少させて、高速で高品質の絶縁膜を形成する方法を提案する。【構成】 真空槽内に有機シラン系ガスと酸素、水、亜酸化窒素、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素のうち少なくとも1種類との混合ガスを導入し、平行平板電極に放電を発生させるプラズマCVD法により、基板上に絶縁膜を形成する方法おいて、放電周波数として27.12MHzないし100MHzの高周波電力を用いて絶縁膜を形成する方法。【効果】 基板上に絶縁膜であるPoly-SiTFT用ゲートSiO2膜を有機シラン系ガスを用いて形成させる際、絶縁膜を高速で高品質で形成出来る。

請求項（抜粋）：

真空槽内に有機シラン系ガスと酸素、水、亜酸化窒素、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素のうち少なくとも1種類との混合ガスを導入し、平行平板電極に放電を発生させるプラズマCVD法により、基板上に絶縁膜を形成する方法おいて、放電周波数として27.12MHzないし100MHzの高周波電力を用いることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-306864   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227602   出願人：株式会社東芝