特許
J-GLOBAL ID：200903018552379359
絶縁膜の形成方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082583
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279505
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 投入電力を減少させて、高速で高品質の絶縁膜を形成する方法を提案する。【構成】 真空槽内に有機シラン系ガスと酸素、水、亜酸化窒素、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素のうち少なくとも1種類との混合ガスを導入し、平行平板電極に放電を発生させるプラズマCVD法により、基板上に絶縁膜を形成する方法おいて、放電周波数として27.12MHzないし100MHzの高周波電力を用いて絶縁膜を形成する方法。【効果】 基板上に絶縁膜であるPoly-SiTFT用ゲートSiO2膜を有機シラン系ガスを用いて形成させる際、絶縁膜を高速で高品質で形成出来る。
請求項（抜粋）：
真空槽内に有機シラン系ガスと酸素、水、亜酸化窒素、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素のうち少なくとも1種類との混合ガスを導入し、平行平板電極に放電を発生させるプラズマCVD法により、基板上に絶縁膜を形成する方法おいて、放電周波数として27.12MHzないし100MHzの高周波電力を用いることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/205
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/205
