特許
J-GLOBAL ID：200903020290683390
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127982
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031313
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 不感帯域による電気抵抗値増大を招くことのないMR素子、薄膜磁気ヘッド、及び、それらの製造方法を提供する。【解決手段】 端部受動領域2、3は中央能動領域の両側端に備えられ、それぞれは、磁区制御膜21、31と、導電膜22、32とを含む。磁区制御膜21、31は中央能動領域1の表面に部分的に重なる。導電膜22、32は磁区制御膜21、31の表面に付着され、磁区制御膜21、31及び中央能動領域1の表面に重なる。中央能動領域1の表面に対する導電膜22、32の重なり寸法W2は、中央能動領域1の表面に対する磁区制御膜21、32の重なり寸法W1よりも大きい。
請求項（抜粋）：
中央能動領域と、端部受動領域とを含む磁気抵抗効果素子であって、前記端部受動領域は、前記中央能動領域の両側端に備えられ、前記端部受動領域のそれぞれは、磁区制御膜と、導電膜とを含んでおり、前記磁区制御膜は、前記中央能動領域の表面に部分的に重なっており、前記導電膜は、前記磁区制御膜の表面に付着され、前記磁区制御膜及び前記中央能動領域の表面に重なっており、前記中央能動領域の表面に対する前記導電膜の重なり寸法は、前記中央能動領域の表面に対する前記磁区制御膜の重なり寸法よりも大きい。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 41/18
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 5/39
, H01F 41/18
, H01L 43/08
, H01L 43/12
