特許

J-GLOBAL ID：200903020309341003

半導体基板の熱処理方法及び装置

発明者： 内田 逸郎 ,  木元 信余 ,  砂田 剛 ,  松下 圭成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006355
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204535
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 熱処理時間が長いプロセスにおいてもプロセス処理待ち時間を短くでき、またデバイスの多品目少量生産に低コストで生産性良く対応することができる半導体基板の熱処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 複数枚の半導体基板Wを移動可能に収容できる熱処理領域2を形成する垂直な処理筒1の外周にヒータ7を配設するとともに、処理筒1内を半導体基板Wを水平姿勢で垂直方向に搬送する搬送手段8を配設し、処理筒1の上部と下部に処理筒1内に半導体基板Wを搬入・搬出する手段を設け、熱処理領域2に半導体基板Wを枚葉単位で順次搬入し、搬入した半導体基板を熱処理領域2内を順次移動させて熱処理を行い、熱処理を終了した半導体基板Wを枚葉毎に搬出するようにした。

請求項（抜粋）：

複数枚の半導体基板を移動可能に収容できる熱処理領域内に半導体基板を枚葉毎に順次搬入し、搬入した半導体基板を熱処理領域内を順次移動させて熱処理を行い、熱処理を終了した半導体基板を枚葉毎に搬出することを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/324 ,  F27B 9/14 ,  F27B 9/36 ,  F27B 9/40 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/324 S ,  F27B 9/14 ,  F27B 9/36 ,  F27B 9/40 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウェーハの熱処理拡散装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-142419   出願人：神鋼電機株式会社
• 熱処理炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-084023   出願人：株式会社村田製作所
• 特開昭57-192019