特許

J-GLOBAL ID：200903020311256919

絶縁膜の成膜方法、半導体装置の製法

発明者： 平尾 孝 ,  古田 守
出願人/特許権者： 学校法人高知工科大学
代理人 (1件)： 清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112724
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287889
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】 温度条件等を変えずに、炭素等の不純物が少なく、且つ欠陥が少ない良好な膜質の絶縁膜を得る。【解決手段】 基板上にプラズマCVD法を用いて行う絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマCVD法において、絶縁膜の原料となる第一ガスと酸素を構成元素に含む第二ガスを用い、且つ該第一ガスを一定の時間間隔を設けて供給することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にプラズマCVD法を用いて行う絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマCVD法において、絶縁膜の原料となる第一ガスと酸素を構成元素に含む第二ガスを用い、且つ該第一ガスを一定の時間間隔を設けて供給することを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/44 A ,  H01L21/90 P ,  H01L21/283 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V

Fターム (73件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA06 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033VV15 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110HK04 ,  5F110HK33 ,  5F110HL04 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-341339   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社