半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341339
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142579
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】銅を主導体層とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。【解決手段】銅からなる埋込配線構造を有する半導体装置において、配線キャップ用の絶縁膜15bを、例えばトリメトキシシランガスと酸化窒素ガスとの混合ガスを用いたプラズマCVD法により形成されたSiON膜によって形成する際に、埋込第2層配線L2の導電性バリア膜17aが酸化されないようにする。

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)ウエハ上に堆積された第1絶縁膜に配線開口部を形成する工程、(b)前記配線開口部内に、銅の拡散に対してバリア性を有する第1導体膜および銅を主成分とする第2導体膜を含む配線を形成する工程、(c)前記第1絶縁膜および配線上に、前記第1導体膜を酸化から保護する第2絶縁膜を堆積した後、前記第2絶縁膜上に、酸素を含むガスを用いた化学気相成長法成によって第3絶縁膜を堆積する工程。

IPC (7件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (10件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/312 C , H01L 21/312 N , H01L 21/316 M , H01L 21/316 X , H01L 21/318 C , H01L 21/318 M , H01L 21/90 A , H01L 21/90 M , H01L 27/08 321 F

Fターム (111件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD19 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH05 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP21 , 5F033PP22 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ94 , 5F033QQ96 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BF01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF02 , 5F058AH02 , 5F058BA01 , 5F058BD01 , 5F058BE03 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF26 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-346031 出願人：日本電気株式会社
銅相互接続構造および形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-097400 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-130003 出願人：株式会社日立製作所

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