特許
J-GLOBAL ID：200903020321965357
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182333
公開番号（公開出願番号）：特開平11-073790
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 回路の規模の増大を最少に抑え、かつ短時間で高精度の書込み、読み出し、消去動作を実現可能な多値記憶型不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルのしきい値を3段階以上に設定するとともに、ワード線のレベルを2段階以上に変化させてメモリセルの読み出しを行なうことで一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶させるように構成された不揮発性記憶装置において、入力された書き込みデータを保持するバイナリデータレジスタ(REG1,REG2)と、入力されたデータの複数ビットに対して所定の演算を実行しそれらの組合わせに応じた多値データに変換するデータ変換論理回路(11)と、メモリセルより読み出された多値データを元のバイナリデータに変換する逆変換論理回路(14)とを設けるようにした。
請求項（抜粋）：
メモリセルのしきい値を3段階以上に設定するとともに、ワード線のレベルを2段階以上に変化させてメモリセルの読み出しを行なうことで一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶させるように構成された不揮発性記憶装置であって、入力された書き込みデータを保持するバイナリデータレジスタと、入力されたデータの複数ビットに対して所定の演算を実行しそれらの組合わせに応じた多値データに変換するデータ変換論理回路と、メモリセルより読み出された多値データを元のバイナリデータに変換する逆変換論理回路とを備えてなることを特徴とする不揮発性記憶装置。
FI (3件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 613
出願人引用 (3件)
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-234767
出願人：株式会社東芝
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特開平3-237692
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特許第2923643号
審査官引用 (9件)
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