表示装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-179898
公開番号（公開出願番号）：特開2008-096962
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】基板上に薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを通して画素電極に印加される表示信号を保持する保持容量を備える表示装置において、保持容量を形成する電極間の絶縁耐圧を向上して歩留まりの向上を図る。【解決手段】保持容量1Cにおいて、下層保持容量電極12、薄い下層保持容量膜14、ポリシリコン層15C、上層保持容量膜16C、上層保持容量電極18が積層される。ポリシリコン層15Cはレーザーアニールによる結晶化により形成される。保持容量1Cのポリシリコン層15Cは微結晶となりその表面の平坦性が良好となる。ポリシリコン層15C(保持容量電極)のパターンは、開口部OPの底部より大きく形成され、その外周部のエッジが開口部OPの傾斜部K上又は開口部OPの外のバッファ膜13上に配置されるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを通して画素電極に印加される表示信号を保持する保持容量を備える表示装置において、前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成された遮光層と、前記遮光層上にバッファ膜を介して形成されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を備え、前記保持容量は、前記基板上に形成された下層保持容量電極と、前記下層保持容量電極上に形成された前記バッファ膜の開口部を通して、前記下層保持容量電極に接触し、前記バッファ膜より薄い下層保持容量膜と、前記下層保持容量膜を介して前記下層保持容量電極上に形成され、前記バッファ膜上のポリシリコン層よりも結晶粒径の小さな微結晶ポリシリコン部分を有する保持容量電極と、前記保持容量電極を覆う上層保持容量膜と、前記上層保持容量膜を介して前記保持容量電極上に形成された上層保持容量電極と、を備えることを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G09F 9/30

FI (5件)：

G02F1/1368 , H01L29/78 612Z , H01L29/78 618Z , H01L29/78 627G , G09F9/30 338

Fターム (57件)：

2H092JA25 , 2H092JB13 , 2H092JB54 , 2H092JB63 , 2H092KA04 , 2H092KA18 , 2H092KA22 , 2H092KB04 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA30 , 2H092NA16 , 2H092NA29 , 5C094AA05 , 5C094AA15 , 5C094AA32 , 5C094AA42 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094EA10 , 5C094ED15 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB19 , 5C094GB10 , 5C094JA08 , 5F110AA11 , 5F110AA18 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE04 , 5F110EE30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HM15 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-272772 出願人：三洋電機株式会社

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