特許
J-GLOBAL ID：200903013433288963
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272772
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111998
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 非晶質シリコンを結晶化して多結晶シリコン膜を形成する際に膜の表面があれるのを防止する。【解決手段】 ゲート電極22が形成された透明基板21上に、ゲート絶縁膜を介して、プラズマCVD法により非晶質状態のシリコン膜25'を積層する。このシリコン膜25'を430°Cで1時間以上加熱し、成膜時に膜内に残された水素を膜外へ排出する。この後、レーザー照射によってシリコン膜25'を融解して結晶化することにより、活性領域となる多結晶シリコン膜25を形成する。
請求項（抜粋）：
基板の一主面上に高融点金属膜を積層し、この高融点金属膜を所定のパターンにエッチングしてゲート電極を形成する第1の工程と、前記基板上に前記ゲート電極を被ってゲート絶縁膜を積層する第2の工程と、前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を積層する第3の工程と、前記半導体膜上に層間絶縁膜を積層する第4の工程と、を有し、前記第3の工程は、前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン膜を積層し、430±20°Cで加熱して非晶質シリコン膜内に含まれる水素を排出した後、非晶質シリコン膜を融解して結晶化させることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, C23C 16/24
H01L 29/78 627 F
, C23C 16/24
, H01L 29/78 627 G
