特許
J-GLOBAL ID：200903020349208217
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317883
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162121
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 装置や工程を複雑化することなく結晶化し,レーザ消灯後の結晶の冷却速度を大きく低下させて結晶粒径を大きくし,且つ欠陥の発生を抑制する。【解決手段】 基板上に形成された堆積層にレーザ光を照射する工程と,該基板よりも該堆積層の方が光の吸収係数が大きい光を該堆積層に照射し且つ該光の強度を漸増あるいは漸減させる工程とを有し,該堆積層を該基板より高い温度で加熱して該堆積層を結晶化する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された堆積層にレーザ光を照射する工程と,該基板よりも該堆積層の方が光の吸収係数が大きい光を該堆積層に照射し且つ該光の強度を漸増または漸減させる工程とを有し,該堆積層を該基板より高い温度で加熱して該堆積層を結晶化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
