特許
J-GLOBAL ID：200903020363540712
窒化物半導体の製造方法、および薄膜加工装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
近島 一夫
, 田北 嵩晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-315477
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123638
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】窒化物半導体の表面に、加工前の表面凹凸形状と無関係に、所望の表面形状を加工できる窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】XYステージ6にエッチング対象物Aを載置して、アッテネータ4で強度を弱めたレーザー光で測定照射しつつXYステージ6を走査させ、パワーメータ11で透過光量を検知して膜厚分布を計測する。続いて、エッチング対象物Aの結晶構造を溶解させるほどに強度を高めたレーザー光を照射しつつXYステージ6を走査させてエッチング対象物Aを加工照射する。アッテネータ4を用いて膜厚分布に応じた強度にレーザー光を強度変調して加工照射を行う。加工照射が完了したエッチング対象物Aは薄膜加工装置100から取り外して酸処理されて、表面のダメージ層を除去される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レーザー光を照射して窒化物半導体薄膜の表面形状を加工する窒化物半導体の製造方法において、
前記窒化物半導体薄膜の加工前の膜厚分布を計測する計測工程と、
収束させたレーザービームスポットで前記窒化物半導体薄膜の表面を走査して、計測された前記膜厚分布に応じて異なる照射量を前記表面の各走査点に及ぼす加工工程と、
前記加工工程を経た前記窒化物半導体薄膜の表面を酸処理する酸処理工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L21/306 B
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
5F041AA04
, 5F041AA31
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA77
, 5F043AA16
, 5F043DD08
, 5F043DD10
, 5F173AH22
, 5F173AP33
, 5F173AP87
, 5F173AQ05
, 5F173AR92
