特許
J-GLOBAL ID：200903034277381289

III-V族窒化物半導体のエッチング方法

発明者：
茜 俊光

茜 俊光 について

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杉岡 幸次

杉岡 幸次 について

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緑川 克美

緑川 克美 について


出願人/特許権者：
理化学研究所

理化学研究所 について


代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064291
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260742
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】III-V族窒化物半導体をエッチング加工する際に、高速加工を行うことができるとともに加工面を高度に平坦化することができるようにしたIII-V族窒化物半導体のエッチング方法を提供する。【解決手段】III-V族窒化物半導体の表面をエッチング加工するIII-V族窒化物半導体のエッチング方法において、III-V族窒化物半導体に対してパルスレーザー光を照射する第1のステップと、第1のステップにおいてパルスレーザー光を照射したIII-V族窒化物半導体を酸によって処理する第2のステップとを有する。
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体の表面をエッチング加工するIII-V族窒化物半導体のエッチング方法において、III-V族窒化物半導体に対してパルスレーザー光を照射する第1のステップと、前記第1のステップにおいてパルスレーザー光を照射した前記III-V族窒化物半導体を酸によって処理する第2のステップとを有するIII-V族窒化物半導体のエッチング方法。
Fターム (4件)：
5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043DD02 ,  5F043DD19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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